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一、應(yīng)聘條件

1、具有電子、計算機、材料或物理背景的博士學(xué)歷；

2、具有較強的英文研究論文讀寫能力；

3、具備自旋電子學(xué)、人工智能算法等研究經(jīng)驗者優(yōu)先考慮。

二、研究方向

1、基于電子自旋力矩的新型器件研究及芯片設(shè)計；

2、鐵電/鐵磁異質(zhì)結(jié)新功能器件研究。

三、薪酬待遇

1、年薪稅前20萬起，可根據(jù)應(yīng)聘者條件面議。年終依據(jù)科研成果會額外提供獎金；

2、可租住博士后公寓及解決子女入園、入學(xué)；

3、享受華中科技大學(xué)教職工社會保險、住房公積金等待遇；

4、支持博士后基金和自然科學(xué)基金的申請。

四、申請材料

1、個人簡歷及相關(guān)證明材料；

2、三篇同行評議論文代表作全文；

3、博士后期間的研究計劃、預(yù)期目標(biāo)等。

五、聯(lián)系方式

應(yīng)聘者請先將個人簡歷發(fā)送至：lyou@hust.edu.cn （郵件標(biāo)題注明：應(yīng)聘崗位+畢業(yè)院校+本人姓名+高校人才網(wǎng)），聯(lián)系人游龍老師，歡迎來信咨詢并探討。

課題組最近的工作：

1.shuai zhang, shijiang luo, nuo xu, qiming zou, min song, jijun yun, qiang luo, zhe guo, ruofan li, weicheng tian, xin li, hengan zhou, huiming chen, yue zhang, xiaofei yang, wanjun jiang, ka shen, jeongmin hong, zhe yuan, li xi, ke xia, sayeef salahuddin, bernard dieny, long you*, a spin–orbit‐torque memristive device, advanced electronic materials (back cover). 1800782, (2019).

2. shijiang luo, nuo xu, zhe guo, yue zhang, jeongmin hong, and long you*, voltage-controlled skyrmion memristor for energy-efficient synapse applications. ieee electron device letters. (2019,in press).

3.huiming chen§, shuai zhang§, nuo xu, xin li, ruofan li, yi zeng, jeongmin hong, long you*, binary and ternary true random number generators based on spin orbit torque. iedm 2018.

4. shijiang luo, min song, xin li, yue zhang, jeongmin hong, xiaofei yang, xuecheng zou, nuo xu, long you*. reconfigurable skyrmion logic gates. nano letters, 18(2), 1180-1184 (2018).

5. huiming chen, min song, zhe guo, ruofan li, qiming zou, shijiang luo, shuai zhang, qiang luo, jeongmin hong, long you*, highly secure physically unclonable cryptographic primitives based on interfacial magnetic anisotropy. nano letters, 18(11), 7211-7216 (2018).

6. xin li, min song, nuo xu, shijiang luo, qiming zou, shuai zhang, jeongmin hong, xiaofei yang, tai min, xiufeng han, xuecheng zou, jian-gang zhu, sayeef salahuddin, long you*, novel cascadable magnetic majority gates for implementing comprehensive logic functions. ieee transactions on electron devices, 2018 (99): 1-7.

7. j. hong, k. dong, j. bokor, l. you*, self-assembled single-digit nanometer memory cells. applied physics letters 113.6 (2018): 062404.

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來源：

http://postdoctor.hust.edu.cn/info/1007/1746.htm